①蒸发、离化和加速三种过程可分别独立控制。离化是靠射频激励，而不是靠加速直流电场激励，基体周围并不产生阴极暗区。

②射频离子镀在10-3~10-1Pa高真空环境下也可稳定放电工作，离化率高，可达5%-15%.提高了沉积粒子的总能蟹，改善了镀层的致密度和结晶的结构。因此制备的镀层表面缺陷及针孔少，膜层质量均匀致密，纯度高.质最好。尤其对制备氧化膜和氮化膜等化合物膜十分有利。

③易进行活性反应离子镀.合成化合物和对非金属基体沉积具有优势。

④基体沮升低.操作方便，易于控制。

射频离子镀的不足之处是:

①由于在高真空下镀膜，沉积拉子受气体粒子的碰撞散射较小，绕镀性差。

②射频辐射对人体有伤害，必须注意采用合适的电源与负载的藕合匹配网络.同时要有良好的接地，防止射预泄翻。另外，要有良好的射振屏蔽，减少或防止射频电源对侧盆仪表的干扰。